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Plateau de gravure Consommables de semi-conducteurs en céramique au carbure de silicium sintré
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xDétails sur le produit
| Surligner | Plateau de gravure Les consommables semi-conducteurs,Plateau de gravure en céramique au carbure de silicium sintré,Plateau de gravure au carbure de silicium sintré |
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Description de produit
Plateau de gravure Les consommables semi-conducteurs
Principales caractéristiques
Le plateau de gravure est fabriqué en céramique de carbure de silicium sintré de haute pureté sans pression. Il présente les caractéristiques de haute dureté, résistance à la corrosion, résistance à l'usure, longue durée de vie,haute précision et bonne homogénéité de gravure de la couche d'épitaxie de la gaufre.
Application du projet
Le procédé de gravure ICP de matériaux à film épitaxial ((GaN, SiO 2, etc.) pour les puces de gaufres LED, les pièces céramiques de précision pour la diffusion des semi-conducteurs et le procédé d'épitaxie MOCVD pour les gaufres semi-conducteurs.
Les spécifications:
L'écart de diamètre est de 50 à 500 mm. L'épaisseur est de 3 à 20 mm. Des spécifications sur mesure sont disponibles.
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